Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1BE-TP
Poproś o wycenę
polski
2784858Obraz ES1BE-TP.Micro Commercial Components (MCC)

ES1BE-TP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.076
12000+
$0.067
30000+
$0.063
60000+
$0.056
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1BE-TP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    975mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    50ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    ES1BE-TPMSTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -50°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    45pF @ 4V, 1MHz
ES1BL MTG

ES1BL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHE3_A/I

ES1BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1B/1

ES1B/1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1B-13-F

ES1B-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES1BL MHG

ES1BL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHM2G

ES1BHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1B-13

ES1B-13

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES1BHE3_A/H

ES1BHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1BL MQG

ES1BL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHE3/61T

ES1BHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1B-M3/5AT

ES1B-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1BHE3/5AT

ES1BHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1B-TP

ES1B-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Co
Na stanie
ES1B-E3/5AT

ES1B-E3/5AT

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1B R3G

ES1B R3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BL M2G

ES1BL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1B-M3/61T

ES1B-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1B-LTP

ES1B-LTP

Opis:

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES1BEIGE

ES1BEIGE

Opis: TB DIN END BRACKET 100PC

Producenci: B+B SmartWorx, Inc.
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść