Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 6A6
Poproś o wycenę
polski
3531690Obraz 6A6.Micro Commercial Components (MCC)

6A6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    6A6
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 6A R6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 6A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    R-6
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    R6, Axial
  • Inne nazwy
    6A6MSCT
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 125°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 6A Through Hole R-6
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    6A6
6A60G B0G

6A60G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
6A6-T

6A6-T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
6A60GHA0G

6A60GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
6A60GHR0G

6A60GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S5A M6G

S5A M6G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 5A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SBR545D1-13

SBR545D1-13

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
CLH01(TE16L,Q)

CLH01(TE16L,Q)

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
6A6TA

6A6TA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
CDSP400-G

CDSP400-G

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD723

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
6A60G A0G

6A60G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
6A60G R0G

6A60G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
6A60GHB0G

6A60GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
6A6-TP

6A6-TP

Opis:

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MBRS1660 MNG

MBRS1660 MNG

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

Opis: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
MBR1100

MBR1100

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
FGP30C-E3/73

FGP30C-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
STF20100

STF20100

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V ITO220AC

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść