Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - RF > RN152GT2R
Poproś o wycenę
polski
3916440Obraz RN152GT2R.LAPIS Semiconductor

RN152GT2R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
8000+
$0.074
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN152GT2R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE PIN SWITCH 30V VMD2
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    30V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    VMD2
  • Seria
    -
  • Odporność @ Jeżeli F
    4.8 Ohm @ 1mA, 100MHz
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    2-SMD, Flat Lead
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    PIN - Single
  • szczegółowy opis
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA VMD2
  • Obecny - Max
    100mA
  • Pojemność @ VR F
    0.45pF @ 1V, 1MHz
RN152-8-02-2M7

RN152-8-02-2M7

Opis: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN1601(TE85L,F)

RN1601(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN152-8-02

RN152-8-02

Opis: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN152-2-02

RN152-2-02

Opis: COMMON MODE CHOKE 18MH 2A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN1607(TE85L,F)

RN1607(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1609(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1604(TE85L,F)

RN1604(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN152-10-02-1M8

RN152-10-02-1M8

Opis: CMC 1.8MH 10A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN1602(TE85L,F)

RN1602(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1611(TE85L,F)

RN1611(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN152-4-02-6M8

RN152-4-02-6M8

Opis: CMC 6.8MH 4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN152-6-02

RN152-6-02

Opis: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN152-10-02

RN152-10-02

Opis: CMC 1.8MH 10A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN152-4-02

RN152-4-02

Opis: CMC 6.8MH 4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN152-6-02-3M9

RN152-6-02-3M9

Opis: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN1608(TE85L,F)

RN1608(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1605TE85LF

RN1605TE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN152-2-02-18M

RN152-2-02-18M

Opis: CMC 18MH 2A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RN1606(TE85L,F)

RN1606(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść