Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RFN10B3STL
Poproś o wycenę
polski
2437756Obraz RFN10B3STL.Rohm Semiconductor

RFN10B3STL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RFN10B3STL
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    10A
  • Napięcie - Podział
    CPD
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    RFN10B3STLDKR
  • Temperatura pracy - złącze
    30ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    RFN10B3STL
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
  • Diode Configuration
    10µA @ 350V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.5V @ 10A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    350V
  • Pojemność @ VR F
    150°C (Max)
RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Opis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10BM3SFHTL

RFN10BM3SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Opis:

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Opis:

Producenci: ROHM
Na stanie
RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10T2D

RFN10T2D

Opis: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10BM3STL

RFN10BM3STL

Opis: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Opis:

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Opis: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Opis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść