Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6030MNX
Poproś o wycenę
polski
6814144Obraz R6030MNX.LAPIS Semiconductor

R6030MNX

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.38
10+
$5.693
100+
$4.668
500+
$3.78
1000+
$3.188
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6030MNX
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    R6030MNX.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220FM
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    150 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    90W (Tc)
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2180pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 30A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Electronics Weekly News | May 4 - 10, 2026

2026/05/12

Why COC Documentation Has Become Essential in Modern Electr...

2026/05/7

Electronics Weekly News | Apr 27 - May 3, 2026

2026/05/5

Electronics Weekly News | Apr 20 - 26, 2026

2026/04/27

From Cyclical to Strategic: How AI Is Transforming the Glob...

2026/04/23

Electronics Weekly Brief | Apr 13–19, 2026

2026/04/20

How ERAI Membership Strengthens Supply Chain Reliability in...

2026/04/17

Futuretech Components Vietnam Team | Local Presence, Strong...

2026/04/13

Electronics Weekly News | Apr 6 - 12, 2026

2026/04/13

Case Study | How Did We Help a European Manufacturer Overco...

2026/04/10

Electronics Weekly News | Mar 30 - Apr 5, 2026

2026/04/7

Electronics Weekly News | Mar 23 - 29, 2026

2026/03/30
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6030MNX”.
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.