Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > EMF21T2R
Poproś o wycenę
polski
2029118Obraz EMF21T2R.LAPIS Semiconductor

EMF21T2R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EMF21T2R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V, 12V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • Typ tranzystora
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    EMT6
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Inne nazwy
    EMF21T2RCT
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz, 260MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA, 500mA
  • Podstawowy numer części
    *MF21
3214W-1-253E

3214W-1-253E

Opis: TRIMMER 25K OHM 0.25W J LEAD TOP

Producenci: Bourns, Inc.
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść