Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > PMIC - sterowniki bramek > HIP6601BECB
Poproś o wycenę
polski
5036556Obraz HIP6601BECB.Intersil

HIP6601BECB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HIP6601BECB
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Dostawa
    10.8 V ~ 13.2 V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC-EP
  • Seria
    -
  • Czas narastania / spadku (typ)
    20ns, 20ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • temperatura robocza
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • Częstotliwość wejściowa
    2
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    2 (1 Year)
  • Napięcie logiczne - VIL, VIH
    -
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ wejścia
    Non-Inverting
  • Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap)
    15V
  • Typ bramy
    N-Channel MOSFET
  • Konfiguracja napędzana
    Half-Bridge
  • szczegółowy opis
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak)
    -
  • Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max)
    Synchronous
  • Podstawowy numer części
    HIP6601B
534AB000511DGR

534AB000511DGR

Opis: QUAD FREQUENCY XO, OE PIN 2

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść