Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > 70V7339S166BC
Poproś o wycenę
polski
2860064Obraz 70V7339S166BC.IDT (Integrated Device Technology)

70V7339S166BC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
12+
$118.544
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    70V7339S166BC
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    256-CABGA (17x17)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    256-LBGA
  • Inne nazwy
    IDT70V7339S166BC
    IDT70V7339S166BC-ND
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    9Mb (512K x 18)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    SRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 166MHz 3.6ns 256-CABGA (17x17)
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Podstawowy numer części
    IDT70V7339
  • Czas dostępu
    3.6ns
70V7339S166BCGI

70V7339S166BCGI

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S200BC

70V7339S200BC

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7319S200BC8

70V7319S200BC8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S166BCI8

70V7339S166BCI8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BCI8

70V7339S133BCI8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S200BC8

70V7339S200BC8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S166BF8

70V7339S166BF8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S166BFG8

70V7339S166BFG8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BF

70V7339S133BF

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S166BC8

70V7339S166BC8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7319S200BC

70V7319S200BC

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BC8

70V7339S133BC8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BCI

70V7339S133BCI

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BC

70V7339S133BC

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S166BCI

70V7339S166BCI

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S166BF

70V7339S166BF

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BFI8

70V7339S133BFI8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S166BFG

70V7339S166BFG

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BFI

70V7339S133BFI

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70V7339S133BF8

70V7339S133BF8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść