Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > 70T3589S166BC
Poproś o wycenę
polski
3922290Obraz 70T3589S166BC.IDT (Integrated Device Technology)

70T3589S166BC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
12+
$90.803
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    70T3589S166BC
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Technologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    256-CABGA (17x17)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    256-LBGA
  • Inne nazwy
    IDT70T3589S166BC
    IDT70T3589S166BC-ND
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    2Mb (64K x 36)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    SRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 166MHz 3.6ns 256-CABGA (17x17)
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Podstawowy numer części
    IDT70T3589
  • Czas dostępu
    3.6ns
70T3589S133BCI

70T3589S133BCI

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133BC8

70T3589S133BC8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S166BF8

70T3589S166BF8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3599S133BC8

70T3599S133BC8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S200BC8

70T3589S200BC8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S166BC8

70T3589S166BC8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133DRI8

70T3589S133DRI8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133BC

70T3589S133BC

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S166BF

70T3589S166BF

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133BFI

70T3589S133BFI

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133BFI8

70T3589S133BFI8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S166DR

70T3589S166DR

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S166DR8

70T3589S166DR8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S200BC

70T3589S200BC

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133DR8

70T3589S133DR8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133BCI8

70T3589S133BCI8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3599S133BC

70T3599S133BC

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133DR

70T3589S133DR

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133DRI

70T3589S133DRI

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3599S133BCI

70T3599S133BCI

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść