Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > 70T3539MS133BC
Poproś o wycenę
polski
5210493Obraz 70T3539MS133BC.IDT (Integrated Device Technology)

70T3539MS133BC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$240.67
12+
$209.777
30+
$209.199
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    70T3539MS133BC
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Technologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    256-CABGA (17x17)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    256-LBGA
  • Inne nazwy
    800-1381
    IDT70T3539MS133BC
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    18Mb (512K x 36)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    SRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • Częstotliwość zegara
    133MHz
  • Podstawowy numer części
    IDT70T3539M
  • Czas dostępu
    4.2ns
70T3519S200BCG

70T3519S200BCG

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS166BCG

70T3539MS166BCG

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S200BC

70T3519S200BC

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS133BCGI

70T3539MS133BCGI

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S166BF

70T3519S166BF

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS133BC8

70T3539MS133BC8

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS166BC

70T3539MS166BC

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS166BC8

70T3539MS166BC8

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133BC

70T3589S133BC

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS133BCI

70T3539MS133BCI

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S200BC8

70T3519S200BC8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS133BCI8

70T3539MS133BCI8

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3589S133BC8

70T3589S133BC8

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S166BF8

70T3519S166BF8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S166BCI8

70T3519S166BCI8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S166BFG

70T3519S166BFG

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S166DR

70T3519S166DR

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S166DRI

70T3519S166DRI

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3539MS133BCG

70T3539MS133BCG

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
70T3519S166BFG8

70T3519S166BFG8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść