Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2103ENG
Poproś o wycenę
polski
1973037Obraz EPC2103ENG.EPC

EPC2103ENG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$11.144
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2103ENG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 7mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 5V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC2103ENG
    EPC2103ENGRH7
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    760pF @ 40V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.5nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    80V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    23A
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2100

EPC2100

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2101

EPC2101

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106

EPC2106

Opis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2103

EPC2103

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2107

EPC2107

Opis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2104

EPC2104

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105

EPC2105

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Opis: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2102

EPC2102

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść