Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS3JB-13-F
Poproś o wycenę
polski
3710063Obraz RS3JB-13-F.Diodes Incorporated

RS3JB-13-F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.401
10+
$0.345
30+
$0.31
100+
$0.274
500+
$0.257
1000+
$0.25
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS3JB-13-F
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMB
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    250ns
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    RS3JB-FDIDKR
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount SMB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    RS3J
RS3J-M3/9AT

RS3J-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3JHE3/57T

RS3JHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3JHR7G

RS3JHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3J-E3/9AT

RS3J-E3/9AT

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3J M6G

RS3J M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3J-13

RS3J-13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3J-M3/57T

RS3J-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3K M6G

RS3K M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3J-E3/57T

RS3J-E3/57T

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3K V6G

RS3K V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3K R7G

RS3K R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3JB-13

RS3JB-13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3JHM6G

RS3JHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3JHE3_A/I

RS3JHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3J V7G

RS3J V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3JHE3/9AT

RS3JHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3J-13-F

RS3J-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3J R7G

RS3J R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3JHE3_A/H

RS3JHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3K V7G

RS3K V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść