Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMTH10H005LCT
Poproś o wycenę
polski
1254317

DMTH10H005LCT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$2.30
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMTH10H005LCT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5 mOhm @ 13A, 10V
  • Strata mocy (max)
    187W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3688pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    114nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 140A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    140A (Tc)
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Opis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Opis: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Opis: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMT6D1K

DMT6D1K

Opis: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Opis: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMT6P1K

DMT6P1K

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Opis: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść