Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN3015LSD-13
Poproś o wycenę
polski
3643300Obraz DMN3015LSD-13.Diodes Incorporated

DMN3015LSD-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.244
10+
$0.238
30+
$0.235
100+
$0.231
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN3015LSD-13
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    15 mOhm @ 12A, 10V
  • Moc - Max
    1.2W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    DMN3015LSD-13DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.4A (Ta)
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Opis: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Opis: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść