Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2005K-7
Poproś o wycenę
polski
4591017Obraz DMN2005K-7.Diodes Incorporated

DMN2005K-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5+
$0.13
50+
$0.104
150+
$0.091
500+
$0.082
3000+
$0.074
6000+
$0.07
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2005K-7
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 100µA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V
  • Strata mocy (max)
    350mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN2005K-7DICT
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 2.7V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Opis: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Opis: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Opis: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Opis:

Producenci: Diodes
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść